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NTLJS1102P
MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS, V GS = 4.5 V (Note 6)
Turn ? On Delay Time
t D(ON)
8.0
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(OFF)
t f
V GS = ? 4.5 V, V DS = ? 4 V,
I D = ? 8.1 A, R G = 1 W
19
78
50
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
Reverse Recovery Time
V SD
t RR
V GS = 0 V,
I S = ? 1.0 A
T J = 25 ° C
T J = 85 ° C
? 0.6
? 0.58
55
? 1.0
85
V
ns
Charge Time
Discharge Time
t a
t b
V GS = 0 V, d ISD /d t = 100 A/ m s,
I S = ? 1.0 A
18
37
Reverse Recovery Charge
Q RR
39
nC
5. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures
ORDERING INFORMATION
Device
NTLJS1102PTBG
NTLJS1102PTAG
Package
WDFN6
(Pb ? Free)
WDFN6
(Pb ? Free)
Shipping ?
3000 / Tape & Reel
3000 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
3
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